A teljesítmény-félvezetők az elektronikus és elektromos eszközök alapvető magjaként szolgálnak, elsősorban olyan diszkrét alkatrészekből, mint az FRD-k, MOSFET-ek és IGBT-k. A jelenlegi technológiai határ a széles-sávszélességű félvezető anyagok- felé tolódik el, mint például a SiC (szilícium-karbid) és a GaN-on-Si (gallium-nitrid szilíciumon)-, amelyek jelentősen javíthatják az eszközök kapcsolási frekvenciáit, feszültségét és kapacitását.
Rendszerszinten az elektronikus és elektromos eszközök "intelligensítése" fejlett integrált áramkörökre és szoftverarchitektúrákra támaszkodik. Ide tartoznak a vegyes-jelű integrált áramkörök, amelyek képesek komplex funkciókat támogatni, valamint a több-magos MCU virtualizációs technológiák, amelyek a nagy megbízhatóságú ágazatokhoz, például az autóiparhoz lettek szabva. A megfelelő szoftver-ökoszisztémák megfelelnek az iparági szabványoknak,-mint például az AUTOSAR CP (Classic Platform)-, és úgy lettek kialakítva, hogy zökkenőmentesen integrálódjanak a POSIX-kompatibilis valós idejű operációs rendszerekkel (pl. RT-Thread).
A nagyobb teljesítménysűrűség, a megbízhatóság és a miniatürizálás eléréséhez a fejlett csomagolási és integrációs technológiák nélkülözhetetlenek. Például a PCB{1}}beágyazott teljesítménymodul-csomagolási technológia magában foglalja a tápchipek közvetlen beágyazását a PCB többrétegű szerkezetébe; ez a megközelítés drasztikusan lerövidíti a táphurkokat, csökkenti a parazita induktivitást (potenciálisan a hagyományos termékekben található érték 25%-ára csökkenti), és növeli a termomechanikai megbízhatóságot.
